一·真空晶體生長燒結(jié)爐設(shè)備用途
主要用于LED行業(yè)的寶石類晶體制備，氟化物類晶體生長，燒結(jié)，退火等處理
二·真空晶體生長燒結(jié)爐產(chǎn)品特點(diǎn)
1·模塊化設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)緊湊，外形美觀，
2·采用底部電動升降和鐘罩式爐體升降，結(jié)構(gòu)精巧，方便，移動平穩(wěn)裝卸料方便
3· 采用觸摸屏+plc控制方式，自動化程度高，操作直觀，功能強(qiáng)大。
4· 在觸摸屏內(nèi)可預(yù)存幾十種燒結(jié)工藝，一次編輯，以后直接調(diào)用使用，省去多次編輯工藝的麻煩，避免輸入錯(cuò)誤，燒壞產(chǎn)品。
5· 燒結(jié)的溫度，真空度，等數(shù)據(jù)可實(shí)時(shí)記錄，也可隨時(shí)啟動停止記錄，減少無用數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)可查詢，可導(dǎo)出下載。
6· 燒結(jié)溫度高，用石墨發(fā)熱體，發(fā)熱均勻。
三·設(shè)備參數(shù)
1· 設(shè)備總功率：≤110Kw；電源電壓：3相380V,50Hz
2·加熱功率：80kw 三相380V(暫定）
2·溫度：1500℃
3·額定溫度：0~1400℃
4. 工作區(qū)尺寸：Ф500×300mm（直徑×高，）
5·爐體內(nèi)徑Ф1000*1200mm（暫定）
6.測溫系統(tǒng)： 鎢萊熱電偶
7.控溫精度： ±1℃
8.加熱區(qū)： Ф540×600mm
9.下降速度： 慢速升降0.1-10mm/h（伺服控制）
快速升降50-200mm/min（帶手動升降）
10.中心軸有效行程/載重： ≤450mm/200kg
11.爐內(nèi)充氣壓力： ≤0.03MPa
